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반도체 소재(예: Si, GaN, ZnO, 2D materials 등)의 결정 성장을 위해 고온 환경을 제공하는 고온 튜브/박스형 전기로로, 결정성 향상, 표면 개질, 열처리 및 산화 공정 등 연구에 사용

A 1200°C furnace for crystal growth of semiconductors is a high-temperature furnace designed for growing and annealing semiconductor materials, providing controlled thermal conditions for crystal formation, oxidation, diffusion, and heat treatment processes.